塗布型有機薄膜トランジスタの作製と特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM10010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2010/05/21

タイトル(英語): Fabrication and characterization of solution process organic thin-film transistors

著者名: 工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Kudo Kazuhiro(Chiba University)

キーワード: ウェットプロセス|有機電界効果トランジスタ|ゲート絶縁材料|有機集積回路|フレキシブルデバイス|wet process|organic field effect transistor|gate insulator|organic integrated circuits|flexible devices

要約(日本語): 塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタを作製し、そのゲート絶縁膜の評価と電界効果トランジスタ特性を評価した。シリコーン樹脂ゲート絶縁膜を用いたチオフェン系有機トランジスタはｐチャネル動作を示した。また、シリコーン樹脂で封止した有機トランジスタ特性は大気に対して安定であることがわかり、有機集積回路作製において有用な知見が得られた。

要約(英語): We fabricated organic thin film transistors using solution process and examined electrical characteristics of the gate insulating layer and field-effect transistor (FET) characteristics. Electrical characteristics of P3HT-FETs using silicone-resin gate insulator showed typical p-channel FET characteristics. Silicone-resin passivated P3HT-FET hardly varied against the air. Several advantages of silicone-resin insulators for organic ICs were obtained in this study.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 716 Kバイト