ペンタセン薄膜トランジスタのタイムドメインリフレクトメトリ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM18043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2018/06/15

タイトル(英語): Time Domain Reflectometry on Pentacene Thin Film Transistor

著者名: 酒井 正俊(千葉大学),村上 裕章(千葉大学),岡田 悠悟(千葉大学),山内 博(千葉大学),貞光 雄一(日本化薬),橋本 雄太(日本化薬),小野寺 希望(日本化薬),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Masatoshi Sakai(Chiba University),Hiroaki Murakami(Chiba University),Yugo Okada(Chiba University),Hiroshi Yamauchi(Chiba University),Yuichi Sadamitsu(Nippon Kayaku Co., Ltd.),Yuta Hashimoto(Nippon Kayaku Co., Ltd.),Nozomi Onodera(Nippon Kayaku Co., Ltd.),Kazuhiro Kudo(Chiba University)

キーワード: ペンタセン|薄膜トランジスタ|キャリア注入|シミュレーション|フレキシブル|インピーダンス|pentacene|thin film transistor|carrier injection|simulation|flexible|impedance

要約(日本語): タイムドメインリフレクトメトリという、これまでデバイス解析に用いられてこなかった手法を用いて、有機TFTにキャリアが注入される過程をナノ秒で時間分解解析した結果を示す。デバイスシミュレーションの結果もあわせてお話しする。

要約(英語): We propose that time domain reflectometry is very useful tool for analyzing the carrier injection process in nano-second time resolution. This talk include both the experimental and device simulation results.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,177 Kバイト