a-(BEDT-TTF)2I3トランジスタの電界誘起相転移

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM18044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2018/06/15

タイトル(英語): Electric Field Induced Phase Transition on a-(BEDT-TTF)2I3 Transistors

著者名: 岡田 悠悟(千葉大学),伊志嶺 洋人(千葉大学),佐野 照輝(千葉大学),山内 博(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Yugo Okada(Chiba University),Hiroto Ishimine(Chiba University),Teruki Sano(Chiba University),Hiroshi Yamauchi(Chiba University),Masatoshi Sakai(Chiba University),Kazuhiro Kudo(Chiba University)

キーワード: 電界効果|相転移型トランジスタ|電荷秩序|電荷移動錯体|Field-Effect|Phase Transition Transistors|Charge Order|Charge-Transfer Complex

要約(日本語): 本研究で、電荷秩序物質a-(BEDT-TTF)2I3を用いて相転移型トランジスタを作製した。a-(BEDT-TTF)2I3の電子相は室温で金属状態、135 K以下の温度で電荷秩序による絶縁体状態である。a-(BEDT-TTF)2I3トランジスタは150 K以下の温度においてゲート電圧の印加によって両極性の非線形な伝導率変調を示した。この結果は電荷秩序の融解に伴う絶縁体-金属相転移を示唆する。

要約(英語): In this study, we developed phase transition transistors by charge order material a-(BEDT-TTF)2I3. a-(BEDT-TTF)2I3 is metal state at room temperature, and charge order insulator state below 135 K. a-(BEDT-TTF)2I3 transistors involve insulator-metal transition with charge order melting by gate-voltage application.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,767 Kバイト