パワートランジスタの動作特性がDC-DCコンバータの伝導性エミッションに与える影響に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EMC16015

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁環境研究会

発行日: 2016/03/22

タイトル(英語): A study on the influence of power transistor characteristics on conducted emission in a DC-DC converter

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: ＤＣ－ＤＣコンバータ|Ｓｉ－ＩＧＢＴ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|伝導性エミッション|スペクトログラム|DC-DC converter|Si-IGBT|SiC-MOSFET|Conducted emission|Spectrogram

要約(日本語): パワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作に伴い、高電圧パワーコンバータにおける電磁干渉ノイズの発生が顕著になる。電力変換回路のノイズ発生メカニズム解明に向け、著者らはこれまでにダイオードの動作特性がDC-DCコンバータの伝導性エミッションに与える影響について報告を行ってきた。本報告ではパワートランジスタの動作特性に着目し、DC-DCコンバータの伝導性エミッションとの対応について検討を行う。

要約(英語): Fast and high-frequency switching operation of power semiconductor devices lead to electromagnetic interference (EMI) noise problem in high-voltage power converters. This report studies the influence of power transistor characteristics on conducted emission in a DC-DC converter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,383 Kバイト