SiC素子を用いたDC-DCコンバータにおけるスイッチングノイズ発生源モデルに関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EMC17001

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁環境研究会

発行日: 2017/02/27

タイトル(英語): A study on modeling of switching noise source in SiC power device-based DC-DC converter

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ－ＳＢＤ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|ＤＣ－ＤＣコンバータ|スイッチングノイズ|伝導性エミッション|SiC-SBD|SiC-MOSFET|DC-DC converter|switching noise|conducted emission

要約(日本語): ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの高速スイッチング動作は、回路や素子に存在する寄生成分との相互作用によって電圧・電流のオーバシュートやリンギングといったスイッチングノイズ発生の一要因となっている。電磁雑音の抑制を図った電力変換回路設計の実現に向け、本稿では、SiC素子を用いたDC-DCコンバータにおけるスイッチングノイズの発生メカニズムおよびノイズ発生源のモデル化に関する検討結果について報告する。

要約(英語): Fast switching operation of wide-bandgap power semiconductor devices lead to overshoot and high-frequency ringing oscillation of circuit voltage/current in power converters. This report studies the switching noise generation mechanism and the modeling of switching noise source in SiC power device-based DC-DC converter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,739 Kバイト