静電気保護素子の応答特性を反映したESDストレスシミュレーションの精度改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EMC17007

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁環境研究会

発行日: 2017/02/27

タイトル(英語): Improvement of ESD Stress Simulation Method Reflects Response Characteristics of ESD Protection Device

著者名: 木村 伸弘(東京理科大学),吉田 孝博(東京理科大学)

著者名(英語): Nobuhiro Kimura(Tokyo University of Science),Takahiro Yoshida(Tokyo University of Science)

キーワード: 静電気放電|ＥＳＤ保護素子|Ｓパラメータ|ベクトルネットワークアナライザー|回路シミュレータ|クランプ電圧|electrostatic discharge|ESD protection device|S-parameter|vector network analyzer|circuit simulation|clamping voltage

要約(日本語): 我々の先行研究において，ESD保護素子の応答特性をVNAで測定しSパラメータとして，高周波回路シミュレータ上に反映して，ESD印加時の電気的ストレスをシステムレベルでシミュレーションする手法を提案したが，シミュレーションと実測波形には差違があった．そこで本研究では，回路シミュレータ上でESDの放電電流を再現する放電源モデルの再構築や，保護動作時における回路構成の検討を行い精度の改善を試みた．

要約(英語): In our previous study, we proposed methods for ESD protection device modeling and system-level ESD stress simulation. In this study, we tried to improve the ESD stress simulation method reflects response characteristics of ESD protection device by reconstruction the ESD equivalent circuit and the circuit configuration for the simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,939 Kバイト