電磁界散乱現象の局所性を用いた計算量の低減
電磁界散乱現象の局所性を用いた計算量の低減
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EMT10130
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁界理論研究会
発行日: 2010/11/11
タイトル(英語): Reduction of Computational Load in High frequency EM Analysis Based upon the Locality of Diffraction
著者名: 小濱 臣将(東京工業大学),伊藤 慧太(東京工業大学),安藤 真(東京工業大学)
著者名(英語): Kohama Takayuki(Tokyo Institute of Technology),Ito Keita(Tokyo Institute of Technology),Ando Makoto(Tokyo Institute of Technology)
キーワード: 散乱現象の局所性|計算量低減|フレネルゾーン|Locality of the diffraction|Computational load reduction|Fresnel zone|
要約(日本語): 電磁界の高周波散乱現象において、局所性をフレネルゾーンで評価し、重み付けをすることで局所性を表現できる。筆者らは3次元散乱体に対する局所化方法を提案する.この手法を、モーメント法で求めた散乱体上の電流分布を面積分する際に適用し十分電磁界が再現されることを示し,計算量低減の可能性を示す。
要約(英語): In high frequency analysis, localization by Fresnel zone and weighting are effective. The authors propose a method of localization on 3-dimensional scattering surface. We calculate E.M. fields by integrating MoM currents in the localized areas and evaluate a computational load reduction. This method is effective for calculating E.M. fields and computational load reduction in high frequency.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,182 Kバイト
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