直線型IEC装置におけるイオン生成率分布の逆解析
直線型IEC装置におけるイオン生成率分布の逆解析
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EPP19056
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会
発行日: 2019/05/16
タイトル(英語): Inverse Analysis of Ion-Production-Rate Distribution in a Linear IEC Device
著者名: 長谷川 純(東京工業大学),板垣 智信(東京工業大学),田端 真之介(東京工業大学),張 以澤(東京工業大学)
著者名(英語): Jun Hasegawa(Tokyo Institute of Technology),Tomonobu Itagaki(Tokyo Institute of Technology),Shinnosuke Tabata(Tokyo Institute of Technology),Yize Zhang(Tokyo Institute of Technology)
キーワード: 慣性静電閉じ込め核融合|中性子源|高電圧グロー放電|モンテカルロシミュレーション|プラズマ分光|逆解析|inertial electrostatic confinement fusion|neutron source|high-voltage glow discharge|Monte-Carlo simulation|plasma spectroscopy|inverse analysis
要約(日本語): 小型中性子源として開発中の直線型IEC装置内におけるイオン生成分布を調べるために,分光計測とモンテカルロシミュレーションに基づく逆解析を行った.その結果,IEC装置内において,高速イオンと中性分子の間の荷電変換反応により,多くの初期イオンが陰極付近で生成されていることが明らかになった.
要約(英語): To examine the ion-production distribution in a linear IEC device, which is developed as a compact neutron source, inverse analyses based on Doppler spectroscopy and Monte-Carlo simulation were conducted. We found that ions in the IEC device were initially produced mostly around the cathode, which is probably due to charge exchange reactions between fast ions and slow molecules.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,161 Kバイト
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