ダイヤモンド成長用Ar/CH4/H2誘導熱プラズマ下流の基板位置への各種粒子束の局所熱平衡解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP19101

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会

発行日: 2019/10/25

タイトル(英語): LTE Thermofluid Simulation on Particle Fluxes of Different Species onto Substrate Position Downstream of Ar/CH4/H2 Inductively Coupled Thermal Plasmas for Diamond Growth

著者名: 加納 直樹(金沢大学),畑 和史(金沢大学),田中 康規(金沢大学),中野 裕介(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学)

著者名(英語): Naoki Kano(Kanazawa university),Kazufumi Hata(Kanazawa university),Yasunori Tanaka(Kanazawa university),Yusuke Nakano(Kanazawa university),yoshihiko uesugi(Kanazawa university),tatsuo ishijima(Kanazawa university)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド|化学気相蒸着法|電磁熱流体解析|局所熱平衡状態|粒子束|inductively coupled thermal plasmas|Monocrystaline diamond|Chemical vapor deposition|Numerical Simulation|local thermodynamic equilibrium|Particle flux

要約(日本語): 本論文では，ダイヤモンド膜成長用Ar/CH4/H2誘導熱プラズマの下流の基板位置への粒子束を，局所熱平衡状態を仮定した電磁熱流体解析により計算した。熱プラズマを用いたダイヤモンド膜成長では，基板に照射される各種粒子束が膜成長レートに大きな影響を及ぼす。計算の結果，基板に照射される粒子束の大きさ・種類は，基板位置に非常に大きく依存することがわかった。

要約(英語): Particle fluxes of different species was numerically studied onto a substrate in downstream of Ar/CH4/H2 inductively coupled thermal plasmas (ICTP) for diamond film growth. The numerical model used in the present work assumes local thermodynamic equilibrium condition in thermal plasmas. Results showed that particle fluxes markedly depend on the position of the substrate irradiated by Ar/CH4/H2 ICTP, which may affects diamond growth rate.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,083 Kバイト