Ar/N2 ループ型誘導熱プラズマ照射によるSi 基板の高速窒化に対する基板上窒素流量および照射時間依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP20044

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会

発行日: 2020/07/16

タイトル(英語): Dependence of Nitrogen Flow Rate and Exposure Time on Rapid Nitridation of Si Substrate using Ar/N2 Loop Type of Induction Thermal Plasmas

著者名: 杉山 祐樹(金沢大学),大関 元紀(金沢大学),田中 康規(金沢大学),中野 裕介(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Yuki Sugiyama(Kanazawa University),Genki Ohzeki(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yusuke Nakano(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Co., Ltd.),Hiroshi Kawaura(CV Research Co., Ltd.

キーワード: ループ型誘導熱プラズマ|高速窒化|窒素流量依存性|プラズマ照射時間依存性|ＸＰＳ分析|Loop-ICTP|High speed nitriding treatment| Nitrogen flow rate dependence| Dependence on plasma irradiation time|XPS analysis

要約(日本語): 誘導熱プラズマを用いた大面積表面処理のため，筆者らはループ型誘導熱プラズマ（ICTP）装置を開発している。本検討では，本装置によるSi基板の表面窒化処理を対象とし，Si 基板表面窒化度合いに対する窒素流量とプラズマ照射時間依存性を検討した。その結果，窒素流量を増加させ，さらにプラズマの照射時間を15-30 minとすることでSiの窒化物であるSi3N4 がより生成されることが確認できた。

要約(英語): Surface rapid nitridation on Si substrate was tested using Ar/N2 Loop Type of Induction Thermal Plasmas (Loop-ICTP). The loop-ICTP has been developed for large-area surface treatment by the authors' group. Tests were made at different nitrogen flow rates and different exposure time on the Si nitridation. As a result, thicker Si3N4 was found to be formed at higher nitrogen flow rate and longer exposure time to 15-30 min.

原稿種別: 日本語

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