SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP20066,SA20078,SP20008

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 静止器/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護合同研究会

発行日: 2020/09/28

タイトル(英語): Evaluation of Transient Voltage and Junction Temperature during Low-Voltage Large Direct Current Interrupting Process with SiC-MOSFET

著者名: 渡邉 幹太(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),小椋 陽介(名古屋大学),小川 拓真(名古屋大学)

著者名(英語): Kanta Watanabe(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Yosuke Ogura(Nagoya University),Takuma Ogawa(Nagoya University)

キーワード: 遮断器|低圧直流大電流|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|限流|等価熱回路|数値シミュレーション|Circuit breaker|Low-voltage large direct current|SiC-MOSFET|Current limiting|Equivalent thermal circuit|Numerical simulation

要約(日本語): 我々の研究室では，SiC-MOSFETを用いた低圧直流モデル遮断器を試作し，遮断特性を評価してきた。そして，その数値計算モデルを構築し，遮断計算を行ってきた。本報告では，限流抵抗方式を採用したモデル遮断器に，200～2000Aの直流電流遮断責務を課した。この時，電源電圧は380V，限流抵抗値は5～12Ωに設定した。得られた計算結果から，モデル遮断器を流れる電流と端子間電圧を評価した。さらに，等価熱回路を用いてMOSFET各部の過渡温度推移を算出した。

要約(英語): We have constructed a model low-voltage DC circuit breaker using SiC-MOSFET. This paper reports the result for interruption duty of direct current imposed on a numerical model for the circuit breaker. From the results, the current through the model circuit breaker and the voltage between the terminals were evaluated. Furthermore, the transient temperature trends of SiC-MOSFET were calculated using the equivalent thermal circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,143 Kバイト