大変革を遂げているパワーデバイス開発

カテゴリ: 技術報告

論文No: 1082

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2007/10/01

タイトル(英語): A revolution of the recent power device development

著者名: パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会

著者名(英語): Investigating R&D Committee on power device and power IC technologies

キーワード: IGBT, Power MOSFET, Wide band gap semiconductor, Thin wafer technology, Superjunction

要約(日本語): 2002年～2005年の3年間の調査期間において、パワーデバイスは大きく変革した。IGBTでは、プロセスの薄ウエハ化をさらに進化させたフィールドストップ型IGBTの製品化などの革新的な技術の量産化が図られて、いよいよ理論限界に近い特性が得られるまでになった。MOSFETでは、更に微細化が進んだことは言うまでもないが、超接合構造のMOSFETが実用化されるに至り、耐圧クラス100V～700Vにおいてシリコン限界を超えるRon・Aが実現されてきた。新材料としてはＳｉＣだけでなくＧａＮがパワーデバイスへの適用を鮮明化させ、特にＳｉＣに関してはいよいよ実用化が図られるまでに進展し、ますますその可能性を強めた感がある。　　 本報告書では上記パワーデバイスの著しい変革を中心に述べる。また上記パワーデバイスの他に、ダイオードやその他のパワーデバイスについてもその技術動向、さらにはデバイスの信頼性についても最新の調査報告結果をまとめた。

要約(英語): This report will describe the latest and the great improvement of the power semiconductor devices such as IGBT, power MOSFET and wide band gap semiconductor devices. The contents of this report are mainly summarized the matters from 2002 to 2005. The trench FS-IGBT and the superjunction MOSFET, which are the most advanced silicon power device structures, started to be in mass-production and are applied to a variety of power electronics application. And, recent innovations of the wide band gap semiconductor devices like SiC MOSFET begins to look practicable. This reports will also discuss which direction the innovation should proceed to.

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