リソグラフィ先端技術の動向

カテゴリ: 技術報告

論文No: 1117

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2008/06/10

タイトル(英語): Status of Advanced Lithography Technology

著者名: リソグラフィ先端技術調査専門委員会編

著者名(英語): Advanced Lithography Technology Committee

キーワード: 液浸リソグラフィ,EUVリソグラフィ,電子ビームリソグラフィ,ナノインプリント／Immersion Lithography, EUV Lithography, EB Lithography, Nano-imprint

要約(日本語): 半導体集積回路の量産用リソグラフィ技術における微細化は、ハーフピッチ(hp)45nm用として液浸ArFエキシマレーザーリソグラフィ技術が実用化されており、hp32nmが次の目標になっている。次世代リソグラフィの有力候補としては、ダブルパターニング技術、EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術、ナノインプリント技術などが開発されている。本調査専門委員会では、これらの技術を中心に研究開発動向を調査し、次世代リソグラフィ技術の見通しを明らかにすることを目的とする。

要約(英語): Advanced lithography technology for half pitch (hp) 45nm semiconductor device manufacturing has introduced ArF immersion tools in mass production, and has focused on hp 32nm lithography technology development as a next target. The next generation lithography technology candidates are double patterning technology, EUV (Extreme Ultra Violet) lithography technology, and nano-imprint technology. In this advanced lithography technology committee, we investigate the status of those lithography technologies, and evaluate the most promising candidates for the next generation lithography technology.

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