リソグラフィ極限技術の開発動向
リソグラフィ極限技術の開発動向
カテゴリ: 技術報告
論文No: 1232
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門
発行日: 2011/09/05
タイトル(英語): Development Status of Extreme Lithography Technologies
著者名: リソグラフィ極限技術調査専門委員会
著者名(英語): Investigating R&D Committee of Extreme Lithography Technologies
キーワード: リソグラフィ、マスク、レジスト、ナノインプリント、シリコン貫通電極/Lithography、Mask、Resist、Nanoimprint、Trough Silicon Via
要約(日本語): 半導体集積回路の微細化は情報化社会の飛躍的発展の基盤を支えて来た。その微細化の原動力は微細なパターンを最初に形成するリソグラフィ技術の進歩である。本技術委員会では、リソグラフィ技術の重要性に鑑み、平成20年4月~平成23年3月の間にリソグラフィ極限技術調査専門委員会を設置し、技術動向と研究開発課題に関する調査、検討を行った。
要約(英語): Nanofabrication technologies in LSI devices manufacturing have been leading outstanding infrastructure development in information technology world. A major driving force in nanofabrication technologies is great advances in lithography technologies, which fabricate nanometer pattern in the first place. In the Investigating R&D Committee of Extreme Lithography Technologies, development status of extreme lithography technologies was investigated considering the great importance of lithography technologies in the period of April 2007 to March 2011.
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