先端リソグラフィ技術の開発動向

カテゴリ: 技術報告

論文No: 770

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2000/03/15

著者名: 光応用先端リソグラフィ技術調査専門委員会

要約(日本語): 21世紀高度情報化社会に向けての半導体装置のさらなる高性能化，大規模化，システム化を支えるキーテクノロジーの一つがリソグラフィ技術である。光によって露光する光リソグラフィが経済性，生産性が良好なことから，これまで一貫して量産ラインで用いられてきたが，KrF，ArFエキシマリソグラフィの後にくる100nm以降のパターン形成技術としての次世代リソグラフィについては，真空紫外光（VUV），極端紫外光（EUV），電子ビーム（EB），X線など，多くの候補が挙げられている。しかしながら，その技術的な困難さ，開発費の増

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