初期のIGBT開発の経緯

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE12023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2012/09/03

タイトル(英語): How IGBTs were developed in the early stage

著者名: 中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): NAKAGAWA AKIO(Nakagawa Consulting Office,LLC.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ラッチアップ|寄生サイリスタ|飽和電流|デバイスシミュレータ|負荷短絡耐量|IGBT|Latch-up|Parasitic thyristor|Saturation Current|device simulator|short-circuit withstanding capability

要約(日本語): 1984年以前のIGBTはMOSゲートでターンオフ可能という利点はあったが、寄生のサイリスタが容易にラッチアップしてしまい実用に耐えなかった。そこでIGBTの飽和電流をラッチアップ電流よりも小さく設計する設計原理を発明し実施したところ、既存のバイポーラTrよりも破壊に強い素子が実現でき、IGBTは破壊に強い素子と評価が180度転換した。これにより今日のIGBT全盛の時代へとつながった。

要約(英語): Before 1984, IGBTs were prone to destruction due to latch-up. He invented design principle, setting the device saturation current lower than the latch-up current and completely suppressed the latch-up even under high-voltage large-current operating conditions. This lead to Today's success of IGBTs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,455 Kバイト