ピエゾ抵抗式圧力センサの開発の道のり

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE16002

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2016/03/10

タイトル(英語): Road to Development of Piezoresistive Semiconductor Pressure Sensor

著者名: 杉山 進(立命館大学)

著者名(英語): Susumu Sugiyama(Ritsumeikan University)

キーワード: ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ|ひずみゲージ|拡散リード|受圧ダイアフラム|マイクロマシニング|集積化センサ|piezorezistive semiconductor pressure sensor|strain gage|diffused lead|pressure diaphragm|micromachining| integrated sensor

要約(日本語): ピエゾ抵抗式半導体圧力センサは、現在成熟した標準技術として幅広く使われている。しかし、過去50年の歴史がある。半導体集積回路とMEMS技術の技術革新が半導体圧力センサの技術進歩の原動力となっている。本稿では、今日、自動車に不可欠な半導体センサの基礎である半導体圧力センサの技術革新の道のりを探ってみる。

要約(英語): Piezoresistive semiconductor pressure sensor has been widely used as standard mature technology today. However, there was a fifty years history of the past. Innovation of technology on semiconductor IC and MEMS technology have become the driving force of technological progress of semiconductor pressure sensor. This paper explores the road of technological innovation of semiconductor pressure sensor that is the foundation of the semiconductor sensors essential for automobile today.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,726 Kバイト