半導体メモリ　CMOS型1MビットDRAM

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE18001

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2018/01/29

タイトル(英語): Semiconductor Memory, CMOS Type 1Mbit DRAM

著者名: 鈴木 英徳(東芝半導体サービス&サポート),澤田 静雄(東芝電子デバイスエンジニアリング),齋藤 昇三(デバイス＆システム・プラットフォーム開発センター),宮脇 直和(東芝メモリシステムズ株式会社)

著者名(英語): Hidenori Suzuki(Toshiba Semiconductor Service & Support Co.,Ltd),Shizuo Sawada(Toshiba Electronics Device Engineering Co.,Ltd),Shozo Saito(Device & System Platform Development Center Co..,Ltd),Naokazu Miyawaki(TOSHIBA MEMORY SYSTEMS Co.,Ltd)

キーワード: ダイナミックＲＡＭ|相補型ＭＯＳ|半導体メモリ|１Ｍビット|Dynamic RAM|DRAM|Semiconductor|Memory|1M bit|CMOS

要約(日本語): DRAMはNMOS型が主流だったが1Mビット世代では微細化とセル特性の背反、高速化&低消費電力化とコストの背反が問題。1985年東芝はCMOS回路の利点を最大限引き出すアーキテクチャと、性能コスト比と作り易さに優れたセル構造を開発してこの問題を解決、CMOS型1MビットDRAMを完成。DRAM内部をCMOS回路で校正した世界初のDRAMとなり、DRAM世界標準をCMOS型に変えた先駆的な役割を果たした。

要約(英語): As for the DRAM, an NMOS type was mainstream.Toshiba developed the architecture to draw the advantage of the CMOS circuit to the maximum in 1M bit generation in 1985 and completed the world's first DRAM which constituted the DRAM inside by a CMOS circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,195 Kバイト