軽元素系半導体の材料・デバイス化技術開発の展開 - SiCを中心にTurning pointの視点から

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE18005

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2018/01/29

タイトル(英語): Evolution in the development of light-element semiconductor material and device technologies from a turning point of view - mainly for SiC

著者名: 吉田 貞史(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Sadafumi Yoshida(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 半導体デバイス性能指数|技術展開転換点|結晶成長技術|デバイス化プロセス技術|ワイドギャップ半導体|ハードエレクトロニクス|figure of merit for a semiconductor device|turning point in technology evolution|crystal growth technology|device process technology|wide-bandgap semiconductors|hard electronics

要約(日本語): SiCは1820年頃に存在が示唆され、1880年代に研磨材などとして工業生産が始まり、1900年台初頭にはLED応用などが考えられた最も古い半導体材料の一つである。しかしSiCの優れた特性を生かした電子デバイスが作製され真に実用化されたのは2000年頃からである。パワーデバイスの革新を目指すSiCを中心に軽元素系半導体の材料及びデバイス化技術開発の展開をその転換点となった事象の視点から述べる。

要約(英語): SiC is one of the oldest semiconducting materials, finding and manufacturing in 1800s’, and first propose for LED early in 1900. It took more than 100 years to make SiC devices fit for practical use. The evolution in the development of material and device technologies using light-element semiconductors including SiC is looked again from a turning point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,383 Kバイト