SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE18006

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2018/01/29

タイトル(英語): Review of the elemental technologies for the SiC EC MOS FETs which brought a break-through of Si limit on Ron of Si MOS FETs

著者名: 原 邦彦(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Kunihiko Hara(Toyohashi University of Technology)

キーワード: シリコンカーバイド|エピチャネル型トランジスタ|オン抵抗|Ａ面上のチャネル|縦型電界効果型トランジスタ|劣化|SiC|EC FET|on-state resistanse|channel on A face|Vertical type MOS FET|degradation

要約(日本語): SiO2/SiC界面形成,イオン注入による不純物ドーピング、結晶欠陥に起因するpn接合特性の劣化、ならびに、超低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発に関する要素研究についてレビューする。

要約(英語): Elemental research results for the SiC EC MOS FETS and for the formation of SiO2/SiC interface, impurity doping by ion implantation and pn junction device degradation caused from the crystallographic defects are reviewed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,768 Kバイト