半導体イオンセンサISFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE18012

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2018/06/06

タイトル(英語): Semiconductor ion sensor ISFET

著者名: 江刺 正喜(東北大学)

著者名(英語): Masayoshi Esashi(Tohoku University)

キーワード: イオンセンサ|小形ｐＨメータ|ＩＳＦＥＴ|Ion sensor|Miniature pH meter|ISFET

要約(日本語): 半導体を用いたイオンセンサであるISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor)は、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を液に露出させ、液中のイオン濃度を検出するもので、小形化に適する。1971に開発が始まり、1983年に日本光電㈱より水素イオン(pH)や炭酸ガス分圧(PCO2)を測るカテーテルとして実用化され、逆流性食道炎の診断などに用いられた。また小形のpH計などとして用いられている。

要約(英語): ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor) is an ion sensor based on semiconductor technology. Gate insulator of the insulated gate field effect transistor is exposed to electrolyte. It can measure ion concentration and it is suitable for miniaturization. The development started in 1971. It was commercialized as pH and PCO2 catheter by Nihon Kohden Corp. in 1983 and used for the diagnosis of reflux esophagitis and other applications. The ISFET has been used as miniature pH meter as well.

原稿種別: 日本語

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