全面導電釉がいしの汚損フラッシオーバ電圧特性の評価と設計
全面導電釉がいしの汚損フラッシオーバ電圧特性の評価と設計
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: HV07086
グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 高電圧研究会
発行日: 2007/10/30
タイトル(英語): Evaluation of Contamination Flashover Voltage Characteristics of Semi-conducting Glaze Insulators and Their Application Design
著者名: 阪 知春(中部大学),山田 数馬(中部大学),林 明生(中部大学),坂西 健治(中部大学),松岡 良輔(中部大学)
著者名(英語): Chiharu Saka(Chubu University),Kazuma Yamada(Chubu University),Akio Hayashi(Chubu University),Kenji Sakanishi(Chubu University),Ryosuke Matsuoka(Chubu University)
キーワード: 全面導電釉がいし| 汚損フラッシオーバ電圧| コールド・ウエット・スイッチ・オン| 湿潤条件| 電位分布
要約(日本語): 全面導電釉がいしは連続課電下では、半導電性釉薬中を流れる電流による乾燥効果のため、優れた汚損フラッシオーバ電圧特性を示す。しかし、これまで、通常の磁器がいしと同じ霧濃度で評価され、又、前課電から試験電圧値へ印加電圧を上げるのに時間を要していた。今回、停電等により課電が一旦停止後再課電されるコールド・ウエット・スイッチ・オン時を含め、全面導電釉がいしの汚損フラッシオーバ電圧特性の評価を見直し、種々の特性を調査した。その結果に基づき全面導電釉がいしの設計のあり方を提案する。
要約(英語): Semi-conducting glaze porcelain insulators show better insulation performance compared with conventional porcelain or glass insulators under contaminated and wetted conditions mainly due to drying effect by leakage current flowing in the semi-conducting g
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 342 Kバイト
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