沿面放電測定用マイクロセンサの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HV07141

グループ名: 【B】電力エネルギー部門　高電圧研究会

発行日: 2007/11/26

タイトル(英語): Micro Sensor for Measuring Surface Discharge Phenomena with High Spatial Resolution

著者名: 林 純也(東京大学),山口 祐樹(東京大学),松岡 成居(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Junya Hayashi(The University of Tokyo),Hiroki Yamaguchi(The University of Tokyo),Shigeyasu Matsuoka(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),Kunihiko Hidaka(The University of Tokyo),Yoshio Mita(The University of Tokyo)

キーワード: 沿面放電|静電容量プローブ|マイクロギャップ|MEMS|SOIウェハ

要約(日本語): 絶縁耐力の向上の実現に際して最も重要と考えられるのが、絶縁上の最弱点である沿面放電現象である。沿面放電現象の電位分布や電荷密度分布を測定する際には表面電位計が用いられるが、現在のところその分解能は最高でも1mm程度である。そこで、電子的プロセスによってより高精度なセンサの作製を開始した。現在までに、放電距離や電極層の厚さなどを変化させてSOIウェハ上における沿面放電の基本的特性を取得し、センサの基礎設計を行ったが、設計・作製上の課題が残った。

要約(英語): Based on MEMS technology, it is expected to develop a micro sensor with high spatial resolution for measuring charge distribution on a dielectric surface. In this paper, a prototype sensor is assembled on a SOI wafer: A pair of Si-electrodes is made on a

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 932 Kバイト