直流電界下におけるGISスペーサ帯電に及ぼすSF6圧力の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HV14051

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 高電圧研究会

発行日: 2014/01/24

タイトル(英語): Influence of SF6 Pressure on Charge Accumulation of GIS Insulator under DC Field Application

著者名: 丸尾 徳(東京大学),松岡 成居(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学),安岡 孝倫(東芝),保科 好一(東芝),武井 雅文(東芝)

著者名(英語): Maruo Toku(The University of Tokyo),Matsuoka Shigeyasu(The University of Tokyo),Kumada Akiko(The University of Tokyo),Hidaka Kunihiko(The University of Tokyo),Yasuoka Takanori(Toshiba Corporation),Hoshina Yoshikazu(Toshiba Corporation),Takei Masahumi(Toshiba Corporation)

キーワード: ＧＩＳ|帯電|スペーサ|ＳＦ６|直流|ガス圧力|GIS|charge accumulation|spacer|SF6 gas|DC|gas pressure

要約(日本語): GISでは交流及び雷インパルスを前提として絶縁設計が行われているが、開極動作の際に高圧母線には静電容量成分によって最大で運転電圧の直流電圧が残留する。その際、絶縁スペーサ表面やガス中を移動する電荷によりスペーサ表面に帯電が発生し絶縁性能が低下すると報告されている。本研究では、モデルスペーサを1気圧から5気圧のSF6中において直流電圧を印加し、SF6の圧力の違いによる帯電および除電の変化を測定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,296 Kバイト