量子化学計算による金属/絶縁材料界面における電荷注入障壁への欠陥の影響評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HV17007

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 高電圧研究会

発行日: 2017/01/26

タイトル(英語): Quantum chemical evaluation of the effect of defects on carrier injection barriers at metal/insulator interfaces

著者名: 佐藤 正寛(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学)

著者名(英語): Masahiro Sato(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),Kunihiko Hidaka(The University of Tokyo)

キーワード: 密度汎関数法|量子化学計算|電荷注入|ポリエチレン|エチレンビニルアセテート|不純物|density functional theory|quantum chemical calculation|charge injection|polyethylene|ethylene-vinyl acetate|impurities

要約(日本語): 有機絶縁材料はHOMO-LUMOギャップが大きく、単純なバンドアラインメントからは金属あるいは半導電電極から絶縁材料への電荷の注入は非常に起きづらいことが予想される。にもかかわらず、多くの材料において絶縁材料への電荷注入が比較的低電界領域でも起きることが知られている。そこで、本稿では量子化学計算によって不純物の電荷注入への影響を評価した。結果、不純物や欠陥によって電荷注入障壁が1 eV以上下げられることがわかった。

要約(英語): First principles calculations are utilized in order to gain a better understanding of the effect of impurities on charge injection from metals to insulators. A comparative study of hole injection into polyethylene oligomer and ethylene-vinyl acetate oligomer is conducted. The results strongly indicate that charge injection barriers are decreased by impurities.

原稿種別: 日本語

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