FDTD法を用いた3並列ZnO避雷素子の過渡電界解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HV19003

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 高電圧研究会

発行日: 2019/01/24

タイトル(英語): FDTD Computation of Transient Electric Field of a Three-Parallel-Element ZnO Varistor

著者名: 柘植 亮佑(同志社大学),馬場 吉弘(同志社大学),長岡 直人(同志社大学),辻本 義将(音羽電機工業),塚本 直之(音羽電機工業)

著者名(英語): Ryosuke Tsuge(Doshisha University),Yoshihiro Baba(Doshisha University),Naoto Nagaoka(Doshisha University),Yoshimasa Tsujimoto(Otowa Electric Company Limited),Naoyuki Tsukamoto(Otowa Electric Company Limited)

キーワード: 時間領域有限差分法|雷|過電圧|サージ防護デバイス|FDTD|lightning|overvoltage|SPD

要約(日本語): 雷サージのような過渡過電圧から回路を保護する目的で，酸化亜鉛バリスタ素子（ZnO素子）が回路に並列に取り付けられる。雷サージ流入時のZnO素子各部に生じる過渡電界分布を把握することができれば，素子設計に非常に役立つと考えられる。本論文では，トータルの処理電流容量の拡張を狙った3並列ZnO素子に，雷インパルス電流が流入した場合の過渡電界の解析をFDTD法を用いて行う。本論文では，特に，電極とZnO素子を繋ぐ銀電極の見切り部分の発生電界に与える影響について注目して解析を行う。

要約(英語): Transient electric fields in and around a three-parallel-element surge protective device (SPD), in which a 10-kA lightning impulse current is injected, has been analyzed using the finite-difference time-domain (FDTD) method. Influence of the size of thin silver layers, which connect the upper and lower cupper electrodes with ZnO elements, on generated transient electric fields are intensively studied.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,277 Kバイト