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高周波動作と低損失化を実現可能にするMOSFET用共振ゲートドライブ回路
高周波動作と低損失化を実現可能にするMOSFET用共振ゲートドライブ回路
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カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: IEA06016
グループ名: 【D】産業応用部門 産業電力電気応用研究会
発行日: 2006/06/08
タイトル(英語): A Resonant Gate-drive Circuit for High Frequency and High Efficiency Converter
著者名: 石垣 将紀(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)
著者名(英語): Masanori Ishigaki(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)
キーワード: ゲートドライブ回路|共振回路|高周波化|MOSFET|Gate Drive Circuit|Resonant Circuit|High Frequency|MOSFET
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 689 Kバイト
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