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高周波動作と低損失化を実現可能にするMOSFET用共振ゲートドライブ回路

高周波動作と低損失化を実現可能にするMOSFET用共振ゲートドライブ回路

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: IEA06016

グループ名: 【D】産業応用部門 産業電力電気応用研究会

発行日: 2006/06/08

タイトル(英語): A Resonant Gate-drive Circuit for High Frequency and High Efficiency Converter

著者名: 石垣 将紀(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)

著者名(英語): Masanori Ishigaki(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ゲートドライブ回路|共振回路|高周波化|MOSFET|Gate Drive Circuit|Resonant Circuit|High Frequency|MOSFET

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 689 Kバイト

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