ボディ短絡型と非ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの特性比較シミュレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: IIC14001

グループ名: 【D】産業応用部門 産業計測制御研究会

発行日: 2014/02/18

タイトル(英語): Simulation of characteristics comparison for body-short type and non-body-short type self-biased channel diode.

著者名: 山田 大輔(神奈川工科大学),工藤 嗣友(神奈川工科大学),菅原 文彦(東北学院大学)

著者名(英語): Yamada Daisuke(Kanagawa Institute of Technology),Kudoh Tsugutomo(Kanagawa Institute of Technology),Sugawara Fumihiko(Tohoku Gakuin University)

キーワード: ＤＭＯＳＦＥＴ|自己バイアス|ダイオード|基板バイアス電圧|電力損失|DMOSFET|Self-bias|Diode|Substrate Bias Voltage|Power loss

要約(日本語): 我々は、3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOSセル構造を持つ自己バイアスチャネルダイオードを提案した。このデバイスは、プロセスの簡略化のため、ボディ短絡構造を採用しなかったので、リーク電流が高く、耐圧低下が懸念されていた。本報告では、ボディ短絡構造の採用により、低損失化と高耐圧化が図れ、大幅な特性改善が期待できることを、デバイスシミュレーションにより明らかにしたので報告する。

原稿種別: 日本語

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