半導体レーザの高出力化および光デバイスのセンシング応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: IM08058

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　計測研究会

発行日: 2008/11/13

タイトル(英語): Development of High Power Semiconductor Laser and Optical Device Sensing Applications

著者名: 長島 靖明(アンリツ株式会社),鈴木 徹也(アンリツ株式会社),藤田 幹明(アンリツ株式会社),森 浩(アンリツ株式会社),下瀬 佳治(アンリツ株式会社),山田 敦史(アンリツ株式会社)

著者名(英語): Yasuaki Nagashima|Tetsuya Suzuki|Motoaki Fujita|Hiroshi Mori|Yoshiharu Shimose|Atsushi Yamada

キーワード: ファブリペロー型半導体レーザ|分布帰還型半導体レーザ|スーパールミネッセントダイオード|高出力レーザ|ガスセンサ|Fabry-Perot LD|DFB-LD|SLD|high-power LD|gas sensor

要約(日本語): InP系半導体レーザのｎ側クラッド部分に4元材料を採用する技術は導波路損失の低減に有効である。この技術でファイバアンプ励起用の1480nm帯500mW出力レーザを製品化している。今回，この技術を1300nm／1550nm帯に応用し，各500／450mW出力の計測用高出力レーザを開発したので報告する。さらに各種波長のスーパールミネッセントダイオード，およびDFBレーザの特性と応用例について紹介する。

要約(英語): As asymmetric quaternary cladding structure is effective for optical loss reduction in InP-based LD, 1480nm 500mW output pump LD was commercialized using this technique. Besides, we have developed 1300/1550nm 500/450mW high power LD for measurement, and w

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 586 Kバイト