パワー半導体デバイスの自己発熱におけるジャンクション温度の推定と妥当性の検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: IM20011

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 計測研究会

発行日: 2020/03/27

タイトル(英語): Estimation and verification of junction temperature in self-heating of power semiconductor device

著者名: 河内 昂輝(大阪大学),杉原 英治(大阪大学),福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Koki Kawauchi(Osaka University),Hideharu Sugihara(Osaka University),Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: パワーデバイス|有限体積法|ジャンクション温度|過渡熱抵|自己発熱|粒子群最適化法|Power Semiconductor device|Finite volume method|Junction temperature|Transient thermal resistance|Self Heating|Particle swarm optimization method

要約(日本語): 近年、高温動作可能であるという点等からSiCを用いたパワー半導体デバイスが注目されている。しかし、SiC半導体でも高温領域ではワイヤ等の結合材料・デバイス間の接合部の劣化が顕著となるため、パワーサイクル試験による接合部の信頼性評価が重要となる。現在同試験において自己発熱におけるジャンクション温度の推定法は確立されていない。本稿では冷却時における推定法を温度上昇時にも適用し、数値解法により妥当性を検証した。

要約(英語): In recent years, power semiconductor devices using SiC have attracted attention for realizing an energy-saving society. In this paper, we estimate the junction temperature of SiC-SBD in the large current region and examine the validity of the method based on the finite volume method.

原稿種別: 日本語

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