ミリ秒ランプ加熱プロセスにおけるシリコン基板温度のin-situ放射温度計測

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LAV10022

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日: 2010/02/03

タイトル(英語): In-situ Radiation Thermometry of Silicon Wafers for Millisecond Lamp Annealing Process

著者名: 平加 健介(チノー),清水 孝雄(チノー),山田 善郎(産業技術総合研究所),石井 順太郎(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Hiraka Kensuke(CHINO CORPORATION),Shimizu Takao(CHINO CORPORATION),Yamada Yoshiro(AIST),Ishii Juntaro(AIST)

キーワード: 温度計測|シリコンウエハ|放射率補正|放射測温|偏光反射率|高速熱処理プロセス|temperature measurement|silicon wafer|emissivity compensation|radiation thermometry|polarized reflectance|rapid thermal process

要約(日本語): 本研究では半導体プロセスにおけるシリコンウエハのin-situ温度計測技術の開発を行っている．測定対象の放射率を自動補正することができる2偏光反射式放射率補正法によるシリコンウエハの表面温度計測の検証試験を行った結果，本手法による温度計測がシリコンウエハに対して有効であることを基礎実験より確認し，また実際の半導体プロセスにて評価試験を実施し，本手法による温度計測が適用可能であることを見出した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 822 Kバイト