10 nm級EUVレジスト評価用干渉露光系の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LAV14018

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日: 2014/12/10

タイトル(英語): Development of EUV interference lithography system for evaluation of EUV resist with hp 10 nm

著者名: 谷野 寛仁(兵庫県立大学),福井 翼(兵庫県立大学),江村 和也(兵庫県立大学),林 祐太(兵庫県立大学),福田 裕貴(兵庫県立大学),九鬼 真輝(兵庫県立大学),山口 太都(兵庫県立大学),原田 哲男(兵庫県立大学),渡邊 健夫(兵庫県立大学),木下 博雄(兵庫県立大学)

著者名(英語): Tanino Hirohito(University of hyogo),Fukui Tsubasa(University of hyogo),Emura Kazuya(University of hyogo),Hayashi Yuta(University of hyogo),Fukuda Yuki(University of hyogo),Kuki Masaki(University of hyogo),Yamaguchi Masato(University of hyogo),Harada Tetsuo(University of hyogo),Watanabe Takeo(University of hyogo),Kinoshita Hiroo(University of hyogo)

キーワード: レジスト|ＥＵＶリソグラフィ|干渉露光|回折格子|resist|EUV lithograohy|interference lithography|grating

要約(日本語): これまでEUVレジスト開発を目的にEUV干渉露光系の開発を進め、15 nmの解像性能を実現してきた。半導体微細加工では、2020年には線幅10 nmが要求されている。そこで、EUV干渉露光系を用いた10 nm以下のパタン評価用に、hp20 nm以下の吸収体パタンを有する透過型回折格子の製作を進めた。併せて回折格子とウエハ間の相対振動の低減についての検討を進めたので報告する。

要約(英語): EUV interference lithographic tool for evaluating EUV resist with hp 10 nm and below has been developing at BL09 undulator beamline at NewSUBARU. It is reported that the key technologies of the fabrication of transparent grating with less than hp 20 nm and the vibration reduction between wafer and transparent grating.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,588 Kバイト