金属および半導体のXeClエキシマレーザ加工

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LAV16023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日: 2016/12/21

タイトル(英語): Metals and semiconductor processed by XeCl excimer laser

著者名: 三宅 晴也(大阪産業大学),繁田 佳孝(大阪産業大学),中島 克明(大阪産業大学),仲田 公平(大阪産業大学),橋田 昌樹(京都大学),阪部 周二(京都大学),草場 光博(大阪産業大学)

著者名(英語): Haruya Miyake(Osaka Sangyo University),Yoshitaka Shigeta(Osaka Sangyo University),Katsuaki Nakajima(Osaka Sangyo University),Kouhei Nakada(Osaka Sangyo University),Masaki Hashida(Kyoto University),Shuji Sakabe(Kyoto University),Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University)

キーワード: アブレーション閾値|エキシマレーザ|ナノ微粒子|ablation threshold|excimer laser|nano-particle

要約(日本語): XeClエキシマレーザを用いて金属および半導体材料のアブレーション閾値フルエンスを実験的に求めた。材料はTi、MO、Au、Pt、Alのような金属およびSi半導体を用いた。これらの材料に対するアブレーション閾値は2つあることが分かった。

要約(英語): The ablation thresholds for the metals such as Ti, Mo, Au, Pt and Al, and teh semiconductor of Si have been determined by a　XeCl excimer laser. It was found that two ablation thresholds for the metals and Si have been distinguished from the ablation rate dependence on the laser fluence.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 624 Kバイト