液晶投影露光により短波長厚膜レジストパターンを形成する二層レジストプロセス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LAV19020

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日: 2019/08/30

タイトル(英語): Two-Layer Resist Process for Printing Patterns in Thick Short-Wavelength Resist Using Liquid-Crystal-Display Projection Exposure

著者名: 堀内 敏行(東京電機大学),沖山 隼人(東京電機大学),佐藤 龍太(東京電機大学),小林 宏史(東京電機大学)

著者名(英語): Toshiyuki Horiuchi(Tokyo denki University),Hayato Okiyama(Tokyo denki University),Ryuta Sato(Tokyo denki University),Hiroshi Kobayashi(Tokyo denki University)

キーワード: 液晶投影露光|厚膜レジスト|二層レジスト|液晶マトリックス投影露光|マスクレスレスリソグラフィ|Liquid-crystal-panel projection exposure|Thick resist|Two-layer resist|Liquid-crystal-panel matrix projection exposure|Maskless lithography

要約(日本語): 液晶マトリックス投影露光により厚膜レジストSU-8に垂直側壁パターンを簡便に形成する二層レジストプロセスを検討した。ディスプレイ用液晶が波長420nm以上の光しか透過しないため、波長365nmを推奨波長とするSU-8に直接パターン形成することはできない。そこでSU-8上に波長436nm用のレジストOFPRを重ねて塗布し、上層OFPRに形成したパターンをマスキング材としてSU-8を露光した。

要約(英語): Process for forming thick SU-8 resist patterns with vertical side walls using liquid-crystal-display (LCD) matrix-exposure was investigated. Because light with a wavelength shorter than 420 nm cannot pass through LCD panels, patterns are not directly printed on SU-8. Patterns were printed once on OFPR and converted to SU-8 patterns.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,030 Kバイト