GaN-MOSFETインバータによる 190 kHzキャリア周波数の鉄損特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LD14036

グループ名: 【D】産業応用部門 リニアドライブ研究会

発行日: 2014/07/04

タイトル(英語): Iron Loss Characteristics of the Dead Time And the Carrier Frequency 190 kHz in the Inverter

著者名: 古賀 尚子(豊田工業大学),小田原 峻也(豊田工業大学),藤崎 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Koga Shoko(Toyota Technological Institute),Odawara Shunya(Toyota Technological Institute),Fujisaki Keisuke(Toyota Technological Institute)

キーワード: ＧａＮ|鉄損|キャリア周波数|インバータ|デッドタイム|GaN|Iron loss|Carrier frequency|Inverter|Dead time

要約(日本語): 本研究では，GaN-MOSFETを用いて，インバータ励磁した電磁鋼板におけるデッドタイムとキャリア周波数の鉄損特性を得るべく，実験を行い，その結果，キャリア周波数190 kHzの鉄損特性を評価した．結果として，GaN-INVのデッドタイムを小さくすることができ，キャリア周波数増加による直流印過電圧の増加を抑えることができるので，キャリア周波数190kHzまでの鉄損特性を初めてGaN-INVで実現することができた．

要約(英語): An Inverter with GaN-MOSFET is possible to realize the higher carrier frequency as 190 kHz and then the iron loss characteristic are measured. Higher carrier frequency couses the Vdc increase in the inverter, which introduces the iron loss increase, GaN-MOSFET is possible to make dead time small because of high rising time. The iron loss characteristics of 190 kHz carrier frequency by GaN-MOSFET show that the number of iron loss is getting bigger when the carrier frequency becomes large. But the rate of iron loss is possible to get smaller by smaller dead time.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,160 Kバイト