新開発SiC-VMOSFET駆動シングルエンデッドインバータを用いた小型ハイパワーワイヤレスEV充電装置

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LD19072

グループ名: 【D】産業応用部門 リニアドライブ研究会

発行日: 2019/08/08

タイトル(英語): A High-Power Miniaturized Wireless EV Charger with a New SiC-VMOSFET driven Single-Ended Inverter

著者名: 岩永 太一(大阪工業大学),大森 英樹(大阪工業大学),坂本 邦博(産業技術総合研究所),道越 久人(産業技術総合研究所),木村 紀之(大阪工業大学),森實　 俊充(大阪工業大学)

著者名(英語): Taichi Iwanaga(Osaka Institute of Technology),Hideki Omori(Osaka Institute of Technology),Kunihiro Sakamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hisato Michikoshi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Noriyuki Kimura(Osaka Institute of Technology),Toshimitsu Morizane(Osaka Institute of Technology)

キーワード: ＥＶ充電装置|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|フライホイルダイオード|無線給電|シングルエンデッドインバータ|パワー半導体|EV charger|SiC-MOSFET|Fly Wheel Diode|Wireless power transfer|Single-ended inverter|Power Device

要約(日本語): 新しく開発したSiC-VMOSFETによるシングルエンデッドインバータを用いた小型ハイパワーワイヤレスEV充電装置について報告する。まず、国際規格に対応する85kHzの高周波動作におけるパワースイッチング素子を評価し、SiC-MOSFETが適していることを示している。さらに、3kWのハイパワー化に対応する高耐圧1700Vデバイスで問題になる過大な導通損失に対して、SiC-VMOSFETがそれを解決することを示している。加えて、FWD構成の比較評価を実用的見地から行っている。

要約(英語): Described is a high- power miniaturized single-ended wireless EV charger with a newly developed SiC-VMOSFET. Very high conduction-loss of high-voltage 1700V MOSFET makes the implementation difficult. Indicated is that a newly developed SiC-VMOSFET is the solution of the problem. In addition, FWD constructions are comparatively studied in a practical point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,091 Kバイト