強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG05013

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　マグネティックス研究会

発行日: 2005/03/11

タイトル(英語): Tunneling Magnetoresistance of GaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs Double-Barrier Magnetic-Tunnel Junctions

著者名: 大矢 忍(東京大学),Pham Nam Hai (東京大学),田中 雅明(東京大学)

著者名(英語): Shinobu Ohya(The University of Tokyo),Pham Nam Hai (The University of Tokyo),Masaaki Tanaka(The University of Tokyo)

キーワード: 分子線エピタキシー|強磁性半導体|共鳴トンネルダイオード|強磁性トンネル接合|トンネル磁気抵抗効果

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,120 Kバイト