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Si MOS型を用いたホール素子の開発

Si MOS型を用いたホール素子の開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG06030

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2006/03/09

タイトル(英語): Development of micro-Hall sensors using Si MOS type FET

著者名: 西藤洋将 (慶大・理工),清水 正義(慶大・理工),宮島 英紀(慶大・理工),佐藤真 (東英工業㈱),増田 宏(東英工業㈱)

著者名(英語): Hiromasa Saito(Keio University),Masayoshi Shimizu(Keio University),Hideki Miyajima(Keio University),Makoto Satoh(Toei Ind. Co.,Ltd.),Hiroshi Masuda(Toei Ind. Co.,Ltd.)

キーワード: ホール素子|走査型ホールプローブ顕微鏡|ホール効果|MOSFET|磁区構造

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 772 Kバイト

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