カルーセルスパッタ法で作製したCoFeB膜とCoFeSm膜の異方性入射効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG10090

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2010/08/03

タイトル(英語): The Anisotropically Incident Effect of CoFeB and CoFeSm Film in the Carousel Sputtering Method

著者名: 今泉 良一(崇城大学),宗像 誠(崇城大学),大越 正敏(九州工業大学),槙 孝一郎(住友金属鉱山)

著者名(英語): Imaizumi Ryoichi(Sojo University),Munakata Makoto(Sojo University),Ohkoshi Masatoshi(Kyushu Institute of Technology),Maki Kouichirou(Sumitomo Metal Mine Co. ,Ltd.)

キーワード: カルーセルスパッタ法|ＣｏＦｅＳｍ膜|ＣｏＦｅＢ膜|異方性磁界|異方性入射効果|carrousel sputtering|CoFeSm film|CoFeB film|large anisotropy field|anisotropic incidence

要約(日本語): 著者らは，カルーセルスパッタ法で作製した磁気共鳴周波数約9GHzのCoFeB膜についてスパッタ粒子のモンテカルロシミュレーションを行い，スパッタ粒子の異方性入射機構に対応したB粒子の原子配列を報告してきた．本研究では，Bの代わりにSmを添加したCoFeSm膜の異方性入射効果についてシミュレーションによって検討し，その結果について報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,260 Kバイト