FeCo-AlF系ナノグラニュラー薄膜のTMRと耐熱性の向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG10112

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2010/09/21

タイトル(英語): TMR and heat resistance improvement of FeCo-AlF nano-granular thin films.

著者名: 小林 伸聖(電気磁気材料研究所),大沼 繁弘(電気磁気材料研究所),藤森 啓安(電気磁気材料研究所),増本 健(電気磁気材料研究所)

著者名(英語): Kobayashi Nobukiyo(Research Institute for Electric and Magnetic Materials),Ohnuma Shigehiro(Research Institute for Electric and Magnetic Materials),Fujimori hiroyasu(Research Institute for Electric and Magnetic Materials),Masumoto Tsuyoshi(Research Institute for Electric and Magnetic Materials)

キーワード: 磁性薄膜|磁気抵抗効果|グラニュラー|高電気抵抗|磁気センサー|省電力|magnetic thin film|magnetic resistance|granular |high electrical resistivity|magnetic sensor|power-saving

要約(日本語): 次世代高性能省電力磁気センサであるGIGSに用いられる金属－絶縁体ナノグラニュラーTMR膜に関し、FeCo-AlF膜に着目し、そのTMRおよび耐熱性の改善を検討した。その結果、以下の成果を得た。1) 新組成系であるFeCo-AlF膜は、室温でMR比12％のグラニュラータイプのTMRを示す。2) 微量Siを含む膜は、Siを含まない膜に比べて約50K高い温度による加熱でもMR比の減少が抑制され、TMRの良好な耐熱性を示す。

要約(英語): We have investigated TMR and heat resistance improvement of FeCo-AlF nano-granular thin films used for GIGS which is a next-generation highly efficient power-saving magnetic sensor. As a result, 1) FeCo-AlF films, these are new composition films, show granular type TMR with MR ratio of 12%. 2) TMR of the films which contain a little Si doesn’t change by heating over 50K than TMR of films without Si.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 509 Kバイト