高誘電率基板を用いた伝送線路型薄膜磁界センサの高感度化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG10165

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2010/11/26

タイトル(英語): Sensitivity enhancement of transmission line type thin film sensor using by high permittivity substrate

著者名: 小島 健(東北学院大学),佐藤 弘二(東北学院大学),薮上 信(東北学院大学),加藤 和夫(東北学院大学),小澤 哲也(仙台高等専門学校),小林 伸聖(電気磁気材料研究所),荒井 賢一(電気磁気材料研究所)

著者名(英語): Kojima Ken(Tohoku-Gakuin University),Sato Kouji(Tohoku-Gakuin University),Yabukami Shin(Tohoku-Gakuin University),Katou Kazuo(Tohoku-Gakuin University),Ozawa Tetuya(Sendai National College of Technology),Kobayasi Nobukiyo(Research Institute for Electric and Magnetic Materials),Arai Ken iti (Research Institute for Electric and Magnetic Materials)

キーワード: セラミック基板|薄膜磁界センサ|伝送線路|感度向上|ceramic substrate|thin film magnetic field sensor|transmission line|sensitivity enhancement

要約(日本語): 高誘電率をもつセラミック基板(比誘電率=115)と磁性CoNbZr薄膜をもちいた伝送線路型薄膜磁界センサを開発した。CoNbZr薄膜(25mm x 25mm, 膜厚8 μm)を近接させたコプレーナ線路型磁界センサを作製した。150 degree/Oeの位相変化を実現し、以前に報告した、テフロン基板(比誘電率=5)をもちいた磁界センサと比較すると、10倍以上向上した。SN比は、交流の小さな磁界(270 pT , 11 Hz)を加えたとき、以前のセンサより約3倍上昇した。

要約(英語): We have developed a transmission line type thin film sensor using by ceramic substrate with high permittivity (εr=115) and amorphous CoNbZr film. We fabricated coplanar line type sensor with CoNbZr film (25mm x 25mm, 8 μm in thickness). A phase change of 150 degree/Oe was achieved, improving more than 10 times compared with previously reported sensor using by Teflon substrate (εr=5). Signal to noise ratio improved about 3 times higher than previous senor when AC small field (270 pT, 11Hz) was applied.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 900 Kバイト