SiC-MOSFETとIGBTを用いた単相PWMインバータの電磁鋼板における鉄損特性の比較

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG12156

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2012/12/06

タイトル(英語): Comparison with SiC-MOSFET and IGBT of iron loss on electrical steel in single phase inverter

著者名: 萱森 大介(豊田工業大学),藤﨑 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Kayamori Daisuke(TOYOTA TECHNOLOGICAL INSTITUTE),Fujisaki Keisuke(TOYOTA TECHNOLOGICAL INSTITUTE)

キーワード: 電力用半導体|鉄損|単相ＰＷＭインバータ|変調率|キャリア周波数|Ｂ－Ｈ曲線|power semiconductor|iron loss|single phase inverter|modulation factor|carrier frequency|B-H curve

要約(日本語): インバータのスイッチング素子として用いられる電力用半導体が鉄損に与える影響を明らかにする為，IGBTとSic-MOSFETをスイッチング素子に用いた２つの単相PWMインバータの比較を行った．変調率一定の時，Sic-MOSFETの方が鉄損は小さくなったが，直流印加電圧一定の時は，差がなかった．しかし，どちらの実験においても，B-H曲線のマイナーループはIGBTの方が大きいことが確認された．

要約(英語): In this paper, the inverters which have two kind of switching devices such as IGBT and Sic-MOSFET are compared to clarify the influence of the power semiconductor for iron loss. Both devices have same iron loss under the same impressed DC voltage, although IGBT makes minor loops large.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,019 Kバイト