低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化アクティブ磁界プローブの試作および基礎特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG13056

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2013/06/14

タイトル(英語): Fabrication and Fundamental Evaluation of On-chip Active Magnetic Field Probe Integrated with Low Noise Amplifier

著者名: 重田 洋二郎(東北大学),佐藤 徳之(東北大学),荒井 薫(東北大学),山口 正洋(東北大学),影山 慎吾(トッパン・テクニカル・デザインセンター)

著者名(英語): Shigeta Yojiro(Touhoku University),Sato Noriyuki(Tohoku University),Arai Kaoru(Tohoku University),Yamaguchi Masahiro(Tohoku University),Kageyama Shingo(Toppan Technical Design Center Co.,Ltd.)

キーワード: 電磁環境両立性|近傍磁界計測|磁界プローブ|低雑音増幅器|ＬＴＥ級受信回路|Electromagnetic Compatibility|Magnetic Near Field Measurement|Magnetic Field Probe|Low Noise Amplifier|LTE-class Receiver

要約(日本語): 近年，小型電子機器などに使用するRadio Frequency Integrated Circuits (RFIC)の微細化に伴い，ICチップレベルでのノイズ評価が必要となっている．このノイズ評価の方法の1つとして，磁界プローブを用いた近傍磁界計測がある．本研究では，低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化アクティブ磁界プローブを試作した．使用周波数はLong Term Evolution (LTE) Band1の規格である2.1 GHzと定めた．磁界プローブの基礎特性の評価を行った結果について報告する．

原稿種別: 日本語

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