散乱型SNOM用プローブの偏光特性の電磁界シミュレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG13061

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2013/07/09

タイトル(英語): Electromagnetic field simulation of probe's polarization state in scattered type SNOM

著者名: 蔡 永福(長岡技術科学大学),孟 倩文(長岡技術科学大学),小野 浩司(長岡技術科学大学),塩田 達俊(埼玉大学),江本 顕雄(産業技術総合研究所),石橋 隆幸(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Cai Yongfu(Nagaoka University of Technology),Meng Qianwen(Nagaoka University of Technology),Ono Hiroshi(Nagaoka University of Technology),Shioda Tatsutoshi(Saitama University),Emoto Akira(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ),Ishibashi Takayuki(Nagaoka University of Technology)

キーワード: 走査型近接場顕微鏡|近接場光|偏光特性|Scanning Near-field Optical Microscopy|Near-field|Polarization state

要約(日本語): 散乱型SNOM用プローブ近傍の電界分布と散乱光の偏光特性を電磁界シミュレーションにより調査した。クロム膜の上に設置したシリコンプローブ先端付近にp偏光の光を入射させた場合、プローブとクロムの間の電界の方向は試料表面と垂直になり、散乱光はp偏光になることがわかった。一方，s偏光の場合は、プローブ下の電場は試料に平行になり、散乱光はs偏光になった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,325 Kバイト