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傾斜磁区を有した不連続GMI素子の今後の展開

傾斜磁区を有した不連続GMI素子の今後の展開

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG13173

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2013/12/20

タイトル(英語): Future study of stepped GMI element

著者名: 中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター)

著者名(英語): Nakai Tomoo(Industrial Technology Institute,Miyagi Prefectural Government)

キーワード: 磁気インピーダンス素子|薄膜磁性体|アモルファス|磁区|不連続変化|記憶型センサ

要約(日本語): 不連続GMI素子で新たに見出した,垂直磁場の印加で発現する現象を報告するとともに,材料組成や磁歪の影響,磁区転移の動的メカニズムなど今後の研究につながる実験データを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,022 Kバイト

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