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高周波キャリア型薄膜磁界センサ特性における励磁電流強度依存性

高周波キャリア型薄膜磁界センサ特性における励磁電流強度依存性

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG14086

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2014/08/01

タイトル(英語): Excitation current dependence on properties of high frequency carrier type thin-film field sensor element

著者名: 菊池 弘昭(岩手大学),鎌田 信吾(岩手大学),中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター),枦 修一郎(東北大学),石山 和志(東北大学)

著者名(英語): Kikuchi Hiroaki(Iwate University),Kamata Shingo(Iwate University),Nakai Tomoo(Industrial Technology Institute,Miyagi Prefectural Government),Hashi Shuichiro(Tohoku University),Ishoyama Kazushi(Tohoku University)

キーワード: 励磁電流強度|インピーダンス|高周波キャリア型|driving current intensity|impedance|high frequency carrier type

要約(日本語): 高周波キャリア型薄膜磁界センサの特性に高周波の励磁電流強度が及ぼす影響について検討した。インピーダンスの変化量は励磁電流強度の増加とともに低下した。また、素子の幅に対して傾斜した容易軸を有した素子においてはその不連続変化の飛びが小さくなった。高感度化や不連続センサの特性を活用するための方針について励磁電流強度の観点から議論する。

要約(英語): The impedance changes of high frequency carrier type field sensor were investigated when the intensity of driving high frequency current was changed. The ration of impedance change decreases with increasing driving power. The ways to obtain higher sensitivity and to utilize discontinuous impedance jumps are discussed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,432 Kバイト

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