磁性薄膜実装LTE級RFICチップ内の電磁ノイズ結合経路の推定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG14106

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2014/08/07

タイトル(英語): Estimation of electromagnetic noise coupling in LTE-class RFIC chip integrated with magnetic thin film

著者名: 樊 鵬(東北大学),室賀 翔(東北大学),田中 聡(東北大学),東 直矢(神戸大学),島崎 俊介(神戸大学),永田 真(神戸大学),山口 正洋(東北大学)

著者名(英語): Fan Peng(Tohoku University),Muroga Sho(Tohoku University),Tanaka Satoshi(Tohoku University),Azuma Naoya(Kobe University),Shimazaki Shunsuke(Kobe University),Nagata Makoto(Kobe University),Yamaguchi Masahiro(Tohoku University)

キーワード: 携帯電話システム|磁性薄膜|デジタルノイズ|スプリアス|電磁界解析|強磁性共鳴|mobile phone system|magnetic thin film|digital noise|spurious|electromagnetic field simulation|ferromagnetic resonance

要約(日本語): LTE級RFICのTEGチップにおけるオンチップ結合を定量化するため，オンチップ結合解析モデルおよび回路解析環境を構築し，電磁界・回路解析を通してオンチップ配線・空間を介したノイズ結合量を解析した。また，解析の結果と実測の結果を比較し，本解析の妥当性を確認した。これらの検討を通して，オンチップ配線中の主たるノイズ結合経路を推定した。

要約(英語): A test element group (TEG) integrated with magnetic thin film has been developed, and the 2.1 GHz band noise suppression of 10 dB was successfully obtained. A electromagnetic field and circuit diagnosis system has been constructed in order to evaluate the electromagnetic noise coupling in a LTE-class RFIC receiver. The noise current occurred in the inductors of LNA were calculated by means of electromagnetic field simulation. Then the spurious generated in the output I/Q signal of RF receiver chain was calculated by circuit simulation. The simulated spurious suppression level of 11.5 dBm agreed with the measurement value of 10 dBm in LTE band 1 at 2.1 GHz. It was estimated that 63% of the noise in the chip was coupled by the on-chip wires, and on-chip noise coupling can be suppressed 27 dB by using magnetic film.

原稿種別: 日本語

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