ガスフロースパッタ法によるFe4NのGaAs上へのエピタキシャル成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG14120

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2014/08/04

タイトル(英語): Epitaxial Growth of Fe4N on GaAs by Gas Flow Sputtering

著者名: 佐久間 洋志(宇都宮大学),鈴木 涼(宇都宮大学),石井 清(宇都宮大学)

著者名(英語): Sakuma Hiroshi(Utsunomiya University),Suzuki Ryo(Utsunomiya University),Ishii Kiyoshi(Utsunomiya University)

キーワード: ガスフロースパッタ法|Ｆｅ４Ｎ|エピタキシャル成長|Gas flow sputtering|Fe4N|Epitaxial growth

要約(日本語): ガスフロースパッタ法により，GaAs上にFeを堆積させたところ，環境中の窒素を取り込んでFe4Nがエピタキシャル成長した．

要約(英語): We found that Fe4N is epitaxially grown on GaAs by gas flow sputtering.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,251 Kバイト