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ミアンダコプレーナ線路型薄膜磁界センサの開発

ミアンダコプレーナ線路型薄膜磁界センサの開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG15103

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2015/09/25

タイトル(英語): Meandering coplanar line type thin film magnetic field sensor

著者名: 植竹 宏明(東北学院大学),川上 敏弥(東北学院大学),森谷 健太(東北学院大学),薮上 信(東北学院大学),小澤 哲也(東北学院大学)

著者名(英語): Hiroaki Uetake(Tohoku-Gakuin Univerisy),Toshiya Kawakami(Tohoku-Gakuin Univerisy),Kenta Moriya(Tohoku-Gakuin Univerisy),Shin Yabukami(Tohoku-Gakuin Univerisy),Tetsuya Ozawa(Tohoku-Gakuin Univerisy)

キーワード: ミアンダ|コプレーナ線路|Meandering|coplanar line

要約(日本語): ミアンダのコプレーナ型薄膜磁界センサの開発を報告する。アモルファスCoNbZr薄膜、SrTiO薄膜、Cu薄膜を多層構造化して、磁界に対するキャリアの位相変化を計測し、100 degree/Oeの高感度を実現した。

要約(英語): A very sensitive thin film sensor was developed using a meandering coplanar line fabricated from Sr33Ti16O51 film (3 μm thick), amorphous Co85Nb12Zr3 film (1.0 mm x 2.45 mm, 0.3 μm-2 μm thick) and Cu/Cr film (2 μ m/0.1 μm). The deposited SrTiO film enhanced the sensitivity of a magnetic field sensor, a phase change of more than 30 degrees/Oe and a gain of over -40 dB being achieved simultaneously. The maximum phase change (sensitivity) was observed for a CoNbZr film thickness of around 0.5-1 ?m. The sensitive bias field and carrier frequency increased as the CoNbZr film thickness increased. The optimum CoNbZr film thickness was realized by the tradeoff between the sensitive bias field and the volume of the CoNbZr film.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,101 Kバイト

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