シリコンテクノロジーを用いたパワーインダクタの設計とインテグレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG15166

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2015/11/26

タイトル(英語): Design and Integration of Power Inductor using Silicon Technology

著者名: 澤井 泰(ローム株式会社),鶴見 直明(ローム株式会社)

著者名(英語): Yutaka Sawai(ROHM Co., Ltd.),Naoaki Tsurumi(ROHM Co., Ltd.)

キーワード: パワーインダクタ|ＤＣ－ＤＣコンバータ|電源モジュール|シリコン貫通電極|ディープエッチング|直流重畳特性|Power Inductor|DC-DC converter|Power module|TSV|Deep Etching|DC-Bias-superposition characteristics

要約(日本語): 本研究では、シリコン基板上へパワーインダクタを形成する技術を検討した。DRIEやCuめっき、CMPなどのシリコンテクノロジーを応用し、1A、1μHに対応したスパイラルインダクタを試作した。また、空芯コイルの上下に磁性材料を配置して特性評価することで、飽和磁束密度（Bs）が直流重畳特性に及ぼす影響を評価した。更に、試作コイルでDC-DCコンバータの駆動実験を行い、変換効率71%を得た。

要約(英語): In this paper, novel power inductor is designed and fabricated on Si wafer using silicon technology such as DRIE, Cu plating, and CMP. Deep trench structures are successfully formed and filled with Cu for the spiral. The performance of silicon inductors are 1A and 1μH, and DC-Bias superposition characteristics are evaluated. The efficiency of DC-DC converter using silicon inductor is 71%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,211 Kバイト